當Vg從0V開始上升的時候，p襯底中的多子空穴會被趕離柵區(qū)從而留下負電荷（空穴...當Vg從0V開始上升的時候，p襯底中的多子空穴會被趕離柵區(qū)從而留下負電荷（空穴無法移動，實際上是電子的移動，電子從襯底被抽取上來，與p型半導體中的受主雜質(zhì)例如...
襯底偏置效應，就是當襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢差Vbs不...襯底偏置效應，就是當襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢差Vbs不為零的時候，所產(chǎn)生的一些效應的統(tǒng)稱。
KNH3625A具有低導通內(nèi)阻，抗沖擊能力強，可靠性高的特點，是一款能夠滿足工業(yè)級...KNH3625A具有低導通內(nèi)阻，抗沖擊能力強，可靠性高的特點，是一款能夠滿足工業(yè)級的場效應管型號，能夠高效提升電路品質(zhì)。
如圖所示，Q9 柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)...如圖所示，Q9 柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設備，被控設備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設備后，釋放被控設備...
1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設計時，需保證Vbe＞0.7V，這個是導通...1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設計時，需保證Vbe＞0.7V，這個是導通條件）；但三極管導通時Vbe= 0.7V左右
