高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 e...高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 epi 層，用來保證具有足夠的擊穿電壓，低摻雜的 N-的 epi 層的尺寸越厚，耐壓的額定值...
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的超級結(jié)技術生產(chǎn)的。這種先進的技術經(jīng)過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的超級結(jié)技術生產(chǎn)的。這種先進的技術經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承...
boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當 mosfet 開啟時，二極管中...boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當 mosfet 開啟時，二極管中的電流為 0，電感電流線性增大；當 mosfet 關斷時，二極管與電感串聯(lián)，二者電流相等...
輸入偏置電流會流過外面的電阻網(wǎng)絡，從而轉(zhuǎn)化成運放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運放話后就...輸入偏置電流會流過外面的電阻網(wǎng)絡，從而轉(zhuǎn)化成運放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運放話后就到了運入的輸出端，造成了運放的輸入誤差。
KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進的超級結(jié)技術生產(chǎn)。該先進技術經(jīng)過特別定制，可...KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進的超級結(jié)技術生產(chǎn)。該先進技術經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。...
