這是一個常用的NMOS低側開關，平時G極被電阻拉至GND電平，處于關閉狀態(tài)。當驅動...這是一個常用的NMOS低側開關，平時G極被電阻拉至GND電平，處于關閉狀態(tài)。當驅動電壓高于GND時，MOS打開。
p溝道場效應管是由溝道、柵極和源、漏極組成。在工作時，柵極和漏極間存在反向...p溝道場效應管是由溝道、柵極和源、漏極組成。在工作時，柵極和漏極間存在反向電壓，形成了橫向電場，使溝道中的載流子移動方式發(fā)生變化，進而控制漏極與源極之間...
KIA50N06B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V...KIA50N06B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：12.5，N溝道，封裝TO-220/252，應用領域：電源適配器,開關電源,UPS電源,車載功放,...
MOS管屬于晶體管。晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導...MOS管屬于晶體管。晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶...
采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的...采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出...
