振蕩電路是由一個(gè)電容器與一個(gè)自感線(xiàn)圈串聯(lián)而成的，稱(chēng)為 LC 電路（LC circuit）...振蕩電路是由一個(gè)電容器與一個(gè)自感線(xiàn)圈串聯(lián)而成的，稱(chēng)為 LC 電路（LC circuit）。LC振蕩電路通過(guò)利用電感和電容元件之間的電磁相互耦合，實(shí)現(xiàn)了電能和磁能的相互轉(zhuǎn)...
充電時(shí)，控制IC X1會(huì)時(shí)刻監(jiān)測(cè)第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓，當(dāng)這個(gè)電壓大于等...充電時(shí)，控制IC X1會(huì)時(shí)刻監(jiān)測(cè)第5腳VDD和第6腳VSS之間的電壓，當(dāng)這個(gè)電壓大于等于過(guò)充截止電壓且滿(mǎn)足過(guò)充電壓的延時(shí)時(shí)間時(shí)，X1會(huì)通過(guò)控制第3腳來(lái)關(guān)閉MOS管Q2，Q2被...
蜂鳴器的發(fā)聲原理由振動(dòng)裝置和諧振裝置組成，而蜂鳴器又分為無(wú)源他激型與有源自...蜂鳴器的發(fā)聲原理由振動(dòng)裝置和諧振裝置組成，而蜂鳴器又分為無(wú)源他激型與有源自激型。無(wú)源他激型蜂鳴器的工作發(fā)聲原理是：方波信號(hào)輸入諧振裝置轉(zhuǎn)換為聲音信號(hào)輸出...
MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來(lái)源于 M...MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來(lái)源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之間的偏壓對(duì) MOSFET 閾值電壓 vth 的影響
通過(guò)調(diào)節(jié)門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大門(mén)...通過(guò)調(diào)節(jié)門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和電容來(lái)減慢MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門(mén)極電...
