要求低電平復(fù)位，即選擇RC積分電路，因?yàn)樯想娝查gC1呈短路狀態(tài)，所以Vo為低電平...要求低電平復(fù)位，即選擇RC積分電路，因?yàn)樯想娝查gC1呈短路狀態(tài)，所以Vo為低電平，由于電阻R1的存在，使Vo從0V電平呈指數(shù)規(guī)律慢慢上升，當(dāng)上升到1V的時(shí)間要求大于1...
復(fù)位電路是針對(duì)低電平有效復(fù)位而言的，其中二極管是起著在斷電的情況下能夠很快...復(fù)位電路是針對(duì)低電平有效復(fù)位而言的，其中二極管是起著在斷電的情況下能夠很快的將電容兩端的電壓釋放掉，為下次上電復(fù)位準(zhǔn)備。
高阻態(tài)的取值既不是0，也不是1，而是“無(wú)”（即不確定的狀態(tài)）。在數(shù)字電路中，...高阻態(tài)的取值既不是0，也不是1，而是“無(wú)”（即不確定的狀態(tài)）。在數(shù)字電路中，通常使用“X”來(lái)表示這種狀態(tài)。
當(dāng)輸入信號(hào)為正半周期時(shí)，V1導(dǎo)通，V2截止，電流方向?yàn)?vcc，V1的集電極，V1的發(fā)...當(dāng)輸入信號(hào)為正半周期時(shí)，V1導(dǎo)通，V2截止，電流方向?yàn)?vcc，V1的集電極，V1的發(fā)射極，負(fù)載，地。當(dāng)輸入信號(hào)為負(fù)半周期時(shí)，V1截止，V2導(dǎo)通，電流方向?yàn)榈?，?fù)載，V...
V(BR)DSS（或VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特...V(BR)DSS（或VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。超過(guò)此值，管子面臨損壞。...
