此電路可以應(yīng)用于很寬的電壓范圍（4.5V~40V，最大19A的電流），R5為可選，當(dāng)輸...此電路可以應(yīng)用于很寬的電壓范圍（4.5V~40V，最大19A的電流），R5為可選，當(dāng)輸入電壓小于20V時(shí)可短接；輸入電壓大于20V時(shí)建議接上，R5的取值應(yīng)滿(mǎn)足與R1的分壓使MO...
1、上電后Q2 基極為低電平，導(dǎo)致截止，所以Q1 G極為高電平而截止； 2、當(dāng)按下...1、上電后Q2 基極為低電平，導(dǎo)致截止，所以Q1 G極為高電平而截止； 2、當(dāng)按下SW開(kāi)關(guān)時(shí)，因C1充滿(mǎn)電，此時(shí)由C1向Q2放電，導(dǎo)致Q2導(dǎo)通，Q1 G極變?yōu)榈碗娖綄?dǎo)通，R3構(gòu)...
假使在這里沒(méi)有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會(huì)因?yàn)殡S著負(fù)載...假使在這里沒(méi)有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會(huì)因?yàn)殡S著負(fù)載電流的變化而變化，導(dǎo)致門(mén)源電壓出現(xiàn)變化，從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。
b772集電極基極電壓-40V，集電極-發(fā)射極電壓-30V，發(fā)射極-基極電壓-6V，最小放...b772集電極基極電壓-40V，集電極-發(fā)射極電壓-30V，發(fā)射極-基極電壓-6V，最小放大倍數(shù)60，最大放大倍數(shù)400，耗散功率500mW。采用SOT-89封裝，封裝小巧、熱性能好、...
C1、C2是差模電容器，一般稱(chēng)為X電容，電容容量很多時(shí)候選擇在0.01μF到0.47μF...C1、C2是差模電容器，一般稱(chēng)為X電容，電容容量很多時(shí)候選擇在0.01μF到0.47μF之間；Y1和Y2是共模電容，一般稱(chēng)為Y電容，電容量不宜過(guò)大，一般在幾十納法左右，選的...
