無論是雙極性集成電路，到現(xiàn)在主流的CMOS集成電路，基本都是靠PN結(jié)隔離。 我們...無論是雙極性集成電路，到現(xiàn)在主流的CMOS集成電路，基本都是靠PN結(jié)隔離。 我們知道，PN結(jié)之所以叫“結(jié)”，就是在結(jié)合處會成一個內(nèi)建電場，這個內(nèi)建電場阻止了P型...
集成電路構(gòu)成持續(xù)發(fā)展。集成電路（Integrated Circuit，IC）是采用特定的加工工...集成電路構(gòu)成持續(xù)發(fā)展。集成電路（Integrated Circuit，IC）是采用特定的加工工藝，按照一定的電路互聯(lián)，把一個電路中所需的晶體管、電容、電阻等有源無源器件，集...
這款功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這個先進(jìn)的技術(shù)...這款功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這個先進(jìn)的技術(shù)是KIA半導(dǎo)體專門定制的。可以減少沖擊，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，能承受雪崩和換向模式下...
有技術(shù)人員拋出這么一個問題：反激電源MOS管D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？ 這是...有技術(shù)人員拋出這么一個問題：反激電源MOS管D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？ 這是一個典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，...
KIA12N60H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET。適用于高電壓、高速電源開關(guān)應(yīng)用，例如...KIA12N60H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET。適用于高電壓、高速電源開關(guān)應(yīng)用，例如高效開關(guān)模式電源，有源功率因數(shù)校正，基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器等。
三極管導(dǎo)通條件?：對三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會無緣無故的產(chǎn)生...三極管導(dǎo)通條件?：對三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不會產(chǎn)生能量。但三極管厲害的地方在于：它可以通過小電流去控制...
