MOS管封裝失效原因 封裝，顧名思義是將集成電路包封起來(lái)，達(dá)到與外加隔離的目...MOS管封裝失效原因 封裝，顧名思義是將集成電路包封起來(lái)，達(dá)到與外加隔離的目的。在工程師的日常工作當(dāng)中，時(shí)不時(shí)會(huì)遇到一些MOS管封裝失效，本文總結(jié)了一些失效的...
常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優(yōu)...常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優(yōu)良的RDSON性能。和柵極充電為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用。KIA8606滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)和綠...
KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵...KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的...
保護(hù)板專用MOS管40V100A KNX3204A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、...保護(hù)板專用MOS管40V100A KNX3204A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、專有新溝槽技術(shù) 3、低門(mén)電荷減小開(kāi)關(guān)損耗 4、快恢復(fù)體二極管
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低...IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低導(dǎo)通電阻 快速切換 100%雪崩試驗(yàn) 重復(fù)雪崩最高允許Tjmax 無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
NMOSFET特性退化
飽和區(qū):
通常Vg
