萬用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流...萬用表直流電壓擋測量三極管集電極直流電壓方法示意圖。測量三極管的集電極直流電壓是故障檢修中經(jīng)常釆用的檢測手段。選擇直流電壓擋的適當(dāng)量程，給電路通電，黑表...
MOS管小尺寸下的效應(yīng)分析 MOS管在小尺寸下的效應(yīng)，主要是小尺寸下的高電場（包...MOS管小尺寸下的效應(yīng)分析 MOS管在小尺寸下的效應(yīng)，主要是小尺寸下的高電場（包括垂直和水平電場）引起的問題，包括遷移率退化，熱載流子以及 DIBL 等問題。
雙穩(wěn)態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負(fù)載開關(guān)電路。本文介紹一個(gè)由兩個(gè)MOS管...雙穩(wěn)態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負(fù)載開關(guān)電路。本文介紹一個(gè)由兩個(gè)MOS管構(gòu)成的低功耗雙穩(wěn)態(tài)電路。假設(shè)Q1的G極輸入是高電平，Q1導(dǎo)通，輸出低電平，低電平接到...
MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供無鉛環(huán)保設(shè)備...MOS管KNX3108A 80V110A-特征 RDS(ON)=5.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 提供無鉛環(huán)保設(shè)備 低RD-ON可將傳導(dǎo)損耗降至最低 大雪崩電流
出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容。現(xiàn)在在柵極加上一個(gè)...出現(xiàn)死區(qū)的主要原因是因?yàn)镸OS管的源極和柵極之間的結(jié)電容?，F(xiàn)在在柵極加上一個(gè)門電路。當(dāng)門電路輸出的信號(hào)跳變的瞬間，電流是非常大的，會(huì)導(dǎo)致MOS管發(fā)熱，所以需要...
低內(nèi)阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專...低內(nèi)阻MOS管 KIA3506A 60V70A產(chǎn)品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專為電動(dòng)自行車控制器應(yīng)用而設(shè)計(jì) 超低電阻 高UIS和UIS 100%測試
