MOS管3203 30V100A參數(shù)-特點 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進溝槽MO...MOS管3203 30V100A參數(shù)-特點 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進溝槽MOS技術(shù) 極低通阻RDS(通) 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高...1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于一定的值,就可以了。 MOS管和晶體管向比較 c ,b ,e —–> d （漏）, g（柵） , s...
驅(qū)動電壓10V，驅(qū)動信號為PWM波，占空比為50%，頻率為1Mhz，寄生電感10nH，MOS管...驅(qū)動電壓10V，驅(qū)動信號為PWM波，占空比為50%，頻率為1Mhz，寄生電感10nH，MOS管寄生電容為1nF，柵極串聯(lián)電阻為20Ω，這個電阻消耗的功率是多大？
由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對時間的導(dǎo)數(shù)dU/dt成正比，盡量...由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對時間的導(dǎo)數(shù)dU/dt成正比，盡量縮短激勵脈沖上升時間至關(guān)重要。激勵脈沖的上升時間主要取決于MOS管的導(dǎo)通速度。
過沖和下沖原理是一樣的，這里以過沖為例子分析。上面mos管打開的瞬間，可以等...過沖和下沖原理是一樣的，這里以過沖為例子分析。上面mos管打開的瞬間，可以等效為上圖開關(guān)閉合的瞬間?？梢岳斫饨o了一個階躍信號，因此電壓過沖是該RCL電路對階躍...
