KIA7306A高密度溝槽的N溝道MOSFET，提供優(yōu)良的導通電阻和柵極指控對于大多數(shù)的...KIA7306A高密度溝槽的N溝道MOSFET，提供優(yōu)良的導通電阻和柵極指控對于大多數(shù)的同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。KIA7306A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品需求。
KNX3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)...KNX3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可...
N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制。例如上圖的LED燈控制和電動馬達的控制。GPIO口...N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制。例如上圖的LED燈控制和電動馬達的控制。GPIO口拉高，MOS管就導通，LED燈亮、馬達轉(zhuǎn)動。GPIO拉低，MOS管就關(guān)閉，LED燈滅，馬達就停...
圖中有兩個型號的MOS管，Q1是N溝道MOS管（型號是FDN335N），Q2是P溝道MOS管（型...圖中有兩個型號的MOS管，Q1是N溝道MOS管（型號是FDN335N），Q2是P溝道MOS管（型號是AO3401）。MOS是通過控制柵極和源極之間的電壓差（Vgs）來實現(xiàn)導通和截止的。
如下圖所示R5模擬后級負載，Q1為開關(guān)，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導通...如下圖所示R5模擬后級負載，Q1為開關(guān)，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導通，MOS管Q1的VGS
在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，將輸入的電流...在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，將輸入的電流斬波為和輸入正弦波電壓同相位的、具有正弦波包絡(luò)線的開關(guān)電流波形，從而提高輸入的...
