丝瓜视频污污污黄色软件,91乱伦,丝袜在线播放

MOS管柵極串聯(lián)電阻作用分享-KIA MOS管

MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)或者更低)。柵極電阻過(guò)大...MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無(wú)窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)或者更低)。柵極電阻過(guò)大時(shí)，MOS管導(dǎo)通速度過(guò)慢，即Rds的減小要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，高壓時(shí)Rds會(huì)消耗大量功率，導(dǎo)...

5N60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)代換 5N60引腳圖 5N60E參數(shù)4.5A600V-K...

這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)...這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)了特別的調(diào)整，以使其最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并...

MOS管散熱設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享圖文-KIA MOS管

MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就...MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就要格外注意應(yīng)用情況和設(shè)計(jì)余量，確保MOSFET的Tj不會(huì)超過(guò)其最大值。

MOSFET應(yīng)用-功率損耗容易誤解的三個(gè)要點(diǎn)-KIA MOS管

總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí)，器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)...總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí)，器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來(lái)表達(dá)，節(jié)點(diǎn)溫度才是最終的MOSFET是否...