MOSFET具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率...MOSFET具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動系統(tǒng)中的變速箱控...
變頻器也稱為變頻驅(qū)動器或驅(qū)動控制器，是可調(diào)速驅(qū)動系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動...變頻器也稱為變頻驅(qū)動器或驅(qū)動控制器，是可調(diào)速驅(qū)動系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動技術(shù)改變交流電動機工作電壓的頻率和幅度，來平滑控制交流電動機速度及轉(zhuǎn)矩。
根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失...根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等...
雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝...雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝道；P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。
?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進技術(shù)...?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關(guān)時間，低導(dǎo)通電阻，低柵電荷...
region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對應(yīng)：0： 關(guān)斷；1： 線性區(qū)；2：...region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對應(yīng)：0： 關(guān)斷；1： 線性區(qū)；2： 飽和區(qū)；3： 亞閾值區(qū)；4： 擊穿
