MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關斷延遲時間 。關斷延遲時間是柵極電壓從最高電...MOSFET沒有存儲時間 ，只存一個關斷延遲時間 。關斷延遲時間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ） 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時間 。在這個時間段內漏極電流保持不...
MOSFET 管還有N個方法 ，就是設它的最大結點溫度一一比如說可以將其設為 100℃...MOSFET 管還有N個方法 ，就是設它的最大結點溫度一一比如說可以將其設為 100℃。然后假設一個合理的較低的 MOSFET 管結點到外殼的溫升 （ 這樣就小需里太低的外 殼...
導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持...導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持續(xù)時間很短且峰值約為導通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續(xù)時...
開關電源發(fā)生過電壓、過電流短路時，保護電路使開關電源停止工作以保護負載和電...開關電源發(fā)生過電壓、過電流短路時，保護電路使開關電源停止工作以保護負載和電源本身。 線性電源一般是將輸出電壓取樣后與參考電壓起送入比較電壓放大器，此電壓...
①由于高壓MOSFETPWM及驅動電路等集成在一個芯片里，大大提高了電路的集成度，...①由于高壓MOSFETPWM及驅動電路等集成在一個芯片里，大大提高了電路的集成度，所以用該芯片設計的開關電源，外接元器件少，可降低成本，縮小體積，提高可靠性；②...
它們大多應用于低功 率場合 ，這些電路通過各種方法來達到以 F兩個目標 ：①用...它們大多應用于低功 率場合 ，這些電路通過各種方法來達到以 F兩個目標 ：①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流，或者在關斷和導通的過相巾將基極和發(fā)...
