MOS二極管的能帶圖，我們由夾在獨(dú)立金屬與獨(dú)立半導(dǎo)體間的氧化層夾心結(jié)構(gòu)開(kāi)始[圖...MOS二極管的能帶圖，我們由夾在獨(dú)立金屬與獨(dú)立半導(dǎo)體間的氧化層夾心結(jié)構(gòu)開(kāi)始[圖6.9(a)]．在此獨(dú)立的狀態(tài)下，所有的能帶均保持水平，此為平帶狀況．在熱平衡狀態(tài)下...
MOS二極管在半導(dǎo)體器件在物理中占有極其重要的地位，因?yàn)樗茄芯堪雽?dǎo)體表面特...MOS二極管在半導(dǎo)體器件在物理中占有極其重要的地位，因?yàn)樗茄芯堪雽?dǎo)體表面特性最有用的器件之一．在實(shí)際應(yīng)用中．它是先進(jìn)集成電路中最重要的MOSFFT器件的樞紐．...
由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一...由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應(yīng)用相當(dāng)引人注目，因?yàn)楦咻斎胱杩沟年P(guān)系，柵極漏電流非常...
在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及...在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，以便在襯底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類與周?chē)r底不同．...
單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單...單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣隔離，能方便地實(shí)現(xiàn)多路輸出，開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所...
線性電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)非?？?，穩(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效...線性電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)非?？欤€(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效率，就必須使圖 1-2中的功率調(diào)整器件（即調(diào)整管）處于開(kāi)關(guān)上作狀態(tài)，再對(duì)圖1-2所示...
