MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續(xù)的趨向．在集成電路中，較...MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續(xù)的趨向．在集成電路中，較小的器件尺寸可到達(dá)較高的器件密度，此外，較短的溝道長(zhǎng)度町改善驅(qū)動(dòng)電流（ID~1/L）...
當(dāng)溝道的邊緣效應(yīng)變得不可疏忽時(shí)，隨著溝道的縮減，n溝道MOSFET的閾值電壓通常...當(dāng)溝道的邊緣效應(yīng)變得不可疏忽時(shí)，隨著溝道的縮減，n溝道MOSFET的閾值電壓通常會(huì)變得不像原先那么正，而關(guān)于p溝道MOSFET而言，則不像原先那么負(fù)，圖6.23顯現(xiàn)了在V...
功率開(kāi)關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占領(lǐng)著中心位置，它的牢靠工作是整個(gè)安裝正常運(yùn)轉(zhuǎn)...功率開(kāi)關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占領(lǐng)著中心位置，它的牢靠工作是整個(gè)安裝正常運(yùn)轉(zhuǎn)的根本條件。功率開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電路是主電路與控制電路之間的接口，是電力電子安裝...
在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde w...在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).雙阱工藝有一些缺陷，如需高溫工藝（超越1 050℃）及長(zhǎng)擴(kuò)散時(shí)間（超越8h）來(lái)到...
為了構(gòu)成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運(yùn)用圖形曝...為了構(gòu)成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運(yùn)用圖形曝光技術(shù)和刻蝕定出其圖樣，也可以在生長(zhǎng)于硅襯底上的熱氧化層上開(kāi)窗，然后寫(xiě)入（或是...
場(chǎng)效應(yīng)管晶體管工作原理場(chǎng)效應(yīng)管晶體管工作原理
