如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖。...如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成丁一個(gè)大面積的PN結(jié)J1。由于IGBT導(dǎo)通時(shí)由P+注入...
絕緣柵雙極型晶體管的原理，分類，優(yōu)勢與缺點(diǎn)絕緣柵雙極型晶體管的原理，分類，優(yōu)勢與缺點(diǎn)
場效應(yīng)管場效應(yīng)管是應(yīng)用電場效應(yīng)來控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比，具...場效應(yīng)管場效應(yīng)管是應(yīng)用電場效應(yīng)來控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比，具有輸入阻高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了疾速開展與應(yīng)用。場效應(yīng)管與晶體...
(1)MOS管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流...(1)MOS管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的狀況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選...
場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N...場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和...
mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開經(jīng)過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)...mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開經(jīng)過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開...
