在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（...在很多，隋況下，MOS晶體管的源極與基底是等電位的。其結(jié)果，使圖1.31中基底（襯底或者阱）與溝道間的pn結(jié)處于零偏置。當(dāng)源極—基底間加反向（或者正向）偏置電壓...
PMOS晶體管是在n型基底上構(gòu)成p+型的源區(qū)和漏區(qū)。假如采用p型硅襯底，如圖1.19所...PMOS晶體管是在n型基底上構(gòu)成p+型的源區(qū)和漏區(qū)。假如采用p型硅襯底，如圖1.19所示，在p型襯底上先作成n型基底，把這個(gè)n型區(qū)域稱(chēng)為n阱( well)。
非常有用：軍訓(xùn)小經(jīng)驗(yàn)，軍訓(xùn)必備，大概的軍訓(xùn)情況表讓你輕松度。 1、... 非常有用：軍訓(xùn)小經(jīng)驗(yàn)，軍訓(xùn)必備，大概的軍訓(xùn)情況表讓你輕松度。 1、一般來(lái)說(shuō)大學(xué)軍訓(xùn)都會(huì)發(fā)一套迷彩服，包括帽子鞋肩章什么的都有，但是有的學(xué)校不會(huì)給...
MOS晶體管的工作中，NMOS晶體管的閾值電壓VTN是正值，當(dāng)VGS= OV時(shí)就沒(méi)有漏極電...MOS晶體管的工作中，NMOS晶體管的閾值電壓VTN是正值，當(dāng)VGS= OV時(shí)就沒(méi)有漏極電流流動(dòng)，這樣的晶體管稱(chēng)為增強(qiáng)型晶體管( enhancementtransistor)。圖2.10示出增強(qiáng)型...
CMOS器件的第一優(yōu)點(diǎn)就是省電，靜態(tài)消耗電流十分小，OP放大器的CMOS輸入偏置電流...CMOS器件的第一優(yōu)點(diǎn)就是省電，靜態(tài)消耗電流十分小，OP放大器的CMOS輸入偏置電流十分小(lpA)。在低電源電壓下也具有高速呼應(yīng)，在筆記本電腦、便攜式電話的微處理器...
競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，流量成了淘寶賣(mài)家們的搶占重點(diǎn)。流量的關(guān)鍵第一步，就是寶貝標(biāo)題...競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，流量成了淘寶賣(mài)家們的搶占重點(diǎn)。流量的關(guān)鍵第一步，就是寶貝標(biāo)題，如何利用寶貝標(biāo)題提升無(wú)線端流量呢? 免費(fèi)流量，主要包括關(guān)鍵詞搜索...
