由于MOS晶體管M1的源極與基底都接地，所以不發(fā)作襯底偏置效應(yīng)。而M2源極的電位...由于MOS晶體管M1的源極與基底都接地，所以不發(fā)作襯底偏置效應(yīng)。而M2源極的電位VS比接地的基底的電位VB=0要高，這就意味著VSB>0。其結(jié)果，M2發(fā)作基底偏置效應(yīng)，使M...
MOS管夾斷與溝道長度調(diào)制 ? ? 實(shí)踐工作中，晶體管的溝道長度對(duì)特性式有一...MOS管夾斷與溝道長度調(diào)制 ? ? 實(shí)踐工作中，晶體管的溝道長度對(duì)特性式有一定的影響，這叫做溝道長度調(diào)制。 ? ? 1．MOS晶體管在非飽和區(qū)的行為 ?...
淘寶流量也就分為付費(fèi)流量與免費(fèi)流量兩大塊，置信一切的賣家都是圍著免費(fèi)流量這...淘寶流量也就分為付費(fèi)流量與免費(fèi)流量兩大塊，置信一切的賣家都是圍著免費(fèi)流量這一塊在轉(zhuǎn)，大家都想搶占各種流量入口，獲取更多的免費(fèi)流量。以至做付費(fèi)流量這塊的目...
為了放大模仿信號(hào)必需運(yùn)用有源器件。MOS晶體管就是一種頻繁運(yùn)用的有源器件。MO...為了放大模仿信號(hào)必需運(yùn)用有源器件。MOS晶體管就是一種頻繁運(yùn)用的有源器件。MOS晶體管的三個(gè)端子中有兩個(gè)分別是輸入端和輸出端。還有第三個(gè)端子，將這個(gè)端子固定為...
先討論將柵極與源極短路、接地（VGS=OV）時(shí)的狀況。如圖1.9所示的MOS晶體管。這...先討論將柵極與源極短路、接地（VGS=OV）時(shí)的狀況。如圖1.9所示的MOS晶體管。這種狀態(tài)下，雖然漏極上加電壓VDS，但是在漏極—源極間簡直沒有電流流過。為什么？如...
MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管...MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發(fā)作變化的狀況相同，其結(jié)果在特性方面有時(shí)簡直沒有變化。例如，輸入輸出電壓...
