MOS管導(dǎo)通損耗的計算公式為：P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36...MOS管導(dǎo)通損耗的計算公式為：P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域，下面先講述MOS管場效應(yīng)管的四個區(qū)域：1）可變電阻區(qū)（也...判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域，下面先講述MOS管場效應(yīng)管的四個區(qū)域：1）可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)）：滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷...
2020年MOS管即將火爆的電子應(yīng)用在哪些領(lǐng)域，提供功率MOSFET的型號選型及應(yīng)用問...2020年MOS管即將火爆的電子應(yīng)用在哪些領(lǐng)域，提供功率MOSFET的型號選型及應(yīng)用問題分析以及AC-DC,DC-DC電源IC方案型號推薦---場效應(yīng)管MOS管在2020年即將爆發(fā)的十大電...
MOS管 100A 30V參數(shù)詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費送樣，MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性...MOS管 100A 30V參數(shù)詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費送樣，MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性： RDS(on)=3.2mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù) 極低通阻RDS(on) 符合J...
年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過實驗證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把...年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過實驗證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個 100 Ω 的電阻放在 MOSFET 柵極前。MOSFET，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡...
元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以...元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲...
