MOS管開關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號具有...MOS管開關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開關(guān)電路。邏輯門電路、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器也都是開關(guān)電路。 開關(guān)電...
MOS管損壞有五種原因（1）雪崩破壞（2）器件發(fā)熱損壞（3）內(nèi)置二極管破壞、（4...MOS管損壞有五種原因（1）雪崩破壞（2）器件發(fā)熱損壞（3）內(nèi)置二極管破壞、（4）由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞（5）柵極電涌、靜電破壞。如果在漏極-源極間外加超出器件額...
逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重?由于逆變器的場效應(yīng)管管耗較大，工作時一般要求要外接面...逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重?由于逆變器的場效應(yīng)管管耗較大，工作時一般要求要外接面積足夠大的散熱片，并且外接散熱片與場效應(yīng)管自身散熱片之間應(yīng)緊密接觸（一般要求涂...
MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程...MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把...
功率MOSFET-Vdss溫度特性分析，由圖可知MSOFET耐壓隨溫度升高而增加。 為什么M...功率MOSFET-Vdss溫度特性分析，由圖可知MSOFET耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現(xiàn)正溫度系數(shù)呢？
以840的參數(shù)計算，假定門極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電...以840的參數(shù)計算，假定門極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時間常數(shù)為63us。但是，不是經(jīng)過一個時間常數(shù)之后MOS管就關(guān)斷了，而是門極電壓...
