KIA2803A，AON6512兩個(gè)型號(hào)的具體參數(shù)、封裝、電路特征等。 （一）AON6512參數(shù)...KIA2803A，AON6512兩個(gè)型號(hào)的具體參數(shù)、封裝、電路特征等。 （一）AON6512參數(shù) 電流：150A 電壓：30V 漏源電壓：30V 柵源電壓：±20V 雪崩電流：70A 雪崩能...
這種功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別...這種功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。...
1、此功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)專(zhuān)門(mén)...1、此功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)專(zhuān)門(mén)針對(duì)最小化通態(tài)電阻，提供了優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖...
NCE3050替代MOS管 NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司...NCE3050替代MOS管 NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)...
完成MOS管芯片制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封...完成MOS管芯片制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將...
功率比較小的單管變換器的主開(kāi)關(guān)通常采用MOS管，其優(yōu)點(diǎn)是電壓型控制，驅(qū)動(dòng)功率...功率比較小的單管變換器的主開(kāi)關(guān)通常采用MOS管，其優(yōu)點(diǎn)是電壓型控制，驅(qū)動(dòng)功率低，低電壓器件中MOS管的導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)速度是最佳的。 測(cè)試耐壓用示波器的高壓探頭...
