KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器...KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%的EAS保...
1、KIA2404A產(chǎn)品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設(shè)計...1、KIA2404A產(chǎn)品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設(shè)計 超低電阻 100%雪崩測試 無鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
40V150A參數(shù)規(guī)格 KIA2804N產(chǎn)品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電...40V150A參數(shù)規(guī)格 KIA2804N產(chǎn)品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電池設(shè)計 3、超低導(dǎo)通電阻 4、快恢復(fù)體二極管 5、無鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
30V85AMOS管 KNX3403A產(chǎn)品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無鉛綠色設(shè)備 降低導(dǎo)...30V85AMOS管 KNX3403A產(chǎn)品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無鉛綠色設(shè)備 降低導(dǎo)電損耗 高雪崩電流
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在...晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓...
場效應(yīng)管可分為結(jié)型場效應(yīng)管（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（簡稱MOS管或MOSFET...場效應(yīng)管可分為結(jié)型場效應(yīng)管（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（簡稱MOS管或MOSFET）兩種。每種又可分為N溝道和P溝道兩類，N溝道和P溝道場效應(yīng)管工作原理相同，只是工...
