門電路：用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算的單元電路稱為門電路(Gate Circu...門電路：用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算的單元電路稱為門電路(Gate Circuit)或邏輯門(Logic Gate)。門電路是數(shù)字集成電路中最基本的邏輯單元。 當門電路的輸...
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A資料 特征： 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù) 優(yōu)良...NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A資料 特征： 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù) 優(yōu)良的散熱封裝 低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計
MOS管我們在設(shè)計電路中常用的一種無源器件。在原理圖和PCB以及實物PCB中如何辨...MOS管我們在設(shè)計電路中常用的一種無源器件。在原理圖和PCB以及實物PCB中如何辨別各種MOS管？作為應(yīng)用好的先決條件，必須認對管子，了解MOS管畫法。
在電路設(shè)計中，常見到利用 MOS 電容做去耦電容（也有利用來做miller補償?shù)碾娙?..在電路設(shè)計中，常見到利用 MOS 電容做去耦電容（也有利用來做miller補償?shù)碾娙荩?，因此?mosfet 的 c-v 特性曲線有必要進行確認。關(guān)于具體的 c-v 曲線的仿真方法...
50A60V內(nèi)阻低 MOS管KIA50N06產(chǎn)品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無鉛綠色...50A60V內(nèi)阻低 MOS管KIA50N06產(chǎn)品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無鉛綠色設(shè)備 低Rds開啟，可將傳導損耗降至最低 高雪崩電流
柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。當MOSFET開...柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。當MOSFET開關(guān)時，電源IC的柵極驅(qū)動器向MOSFET的寄生電容充電（向柵極注入電荷）而產(chǎn)生這種損耗...
