PWM MOS管驅(qū)動(dòng)實(shí)際是將PWM信號(hào)經(jīng)過(guò)MOS進(jìn)行功率放大,將PWM信號(hào)變成具備一定功率...PWM MOS管驅(qū)動(dòng)實(shí)際是將PWM信號(hào)經(jīng)過(guò)MOS進(jìn)行功率放大,將PWM信號(hào)變成具備一定功率輸出或有一定電流灌入能力的PWM波形。其常見(jiàn)的電路有PWM MOS管底邊驅(qū)動(dòng),半橋輸出、...
整個(gè)電路結(jié)構(gòu)可分為啟動(dòng)電路、PTAT電流產(chǎn)生電路、溫度比較及其輸出電路。下面詳...整個(gè)電路結(jié)構(gòu)可分為啟動(dòng)電路、PTAT電流產(chǎn)生電路、溫度比較及其輸出電路。下面詳細(xì)介紹各部分電路的設(shè)計(jì)以及實(shí)現(xiàn)。文中所設(shè)計(jì)的CMOS溫度保護(hù)電路整體電路圖如圖1所...
120V130A低內(nèi)阻MOS管 KNX2912A產(chǎn)品描述: KNX2912A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供...120V130A低內(nèi)阻MOS管 KNX2912A產(chǎn)品描述: KNX2912A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(導(dǎo)通)、低柵極電荷??捎糜诙喾N應(yīng)用。
80A60V低壓MOS管 KNX3306A?產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V 2、無(wú)鉛...80A60V低壓MOS管 KNX3306A?產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V 2、無(wú)鉛綠色設(shè)備 3、低電阻開(kāi)關(guān),減少導(dǎo)電損耗 4、高雪崩電流
低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch ...低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足...
電力MOS場(chǎng)效應(yīng)管-分為結(jié)型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Ox...電力MOS場(chǎng)效應(yīng)管-分為結(jié)型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱(chēng)電力MOSFET(Power MOSFET) 結(jié)型電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管一...