通過(guò)模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個(gè)四端口網(wǎng)絡(luò)，這是在實(shí)際器件中襯底也是需要...通過(guò)模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個(gè)四端口網(wǎng)絡(luò)，這是在實(shí)際器件中襯底也是需要接參考的。 通常NMOS器件襯底接地（或最低電平），相對(duì)應(yīng)PMOS器件襯底接電源（或最...
1、柵極長(zhǎng)度L是載流子必須經(jīng)源到漏的距離，因此L直接關(guān)系到器件的速度，L越小，...1、柵極長(zhǎng)度L是載流子必須經(jīng)源到漏的距離，因此L直接關(guān)系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。 2、溝道寬度W決定了器件的強(qiáng)度，器件越寬，并行穿過(guò)器...
以NMOS為例介紹MOSFET的基本結(jié)構(gòu)，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴(kuò)散形成...以NMOS為例介紹MOSFET的基本結(jié)構(gòu)，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴(kuò)散形成兩個(gè)重參雜n+的區(qū)域，分別為源端（Source）和漏端（Drawn），應(yīng)當(dāng)注意的是，對(duì)于單個(gè)...
對(duì)于元器件而言，特征頻率是指其主要功能下降到不好使用時(shí)的一種截止頻率。例如...對(duì)于元器件而言，特征頻率是指其主要功能下降到不好使用時(shí)的一種截止頻率。例如，對(duì)于用作為放大的有源器件——雙極型晶體管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管而言，特征頻率就是指...
當(dāng)MOS管工作在變阻區(qū)內(nèi)時(shí)，其溝道是“暢通”的，相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。在 Vds Vds <...當(dāng)MOS管工作在變阻區(qū)內(nèi)時(shí)，其溝道是“暢通”的，相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時(shí)近似滿(mǎn)足V-I的線性關(guān)系，即有一個(gè)近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，...
在設(shè)計(jì)大電流電源時(shí)，MOSFET是最難確定的元件。這一點(diǎn)在筆記本電腦中尤其顯著，...在設(shè)計(jì)大電流電源時(shí)，MOSFET是最難確定的元件。這一點(diǎn)在筆記本電腦中尤其顯著，這樣的環(huán)境中，散熱器、風(fēng)扇、熱管和其它散熱手段通常都留給了CPU。這樣，電源設(shè)計(jì)...
