KIA3414采用先進的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷門極電壓低至1.8...KIA3414采用先進的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷門極電壓低至1.8V。該裝置適用于負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標準產(chǎn)品KIA3414無鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）...
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V...在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。 這就提出一個要求，需要使用一個電路...
一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖），這個尖...一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰（如下圖紅色圓圈里的尖峰圖），這個尖峰到底是什么原因引起的？怎么來消除或者改善？
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸...開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電...
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)...IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而...
熱阻值是功率器件中主要的參數(shù)之一，反映了功率器件的驅(qū)動能力。熱阻值的大小與...熱阻值是功率器件中主要的參數(shù)之一，反映了功率器件的驅(qū)動能力。熱阻值的大小與功率器件本身和所在 PCB 板散熱面積有關(guān)。因此，本文描述了功率器件的熱阻值的測量...
