通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用U...通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。 開啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓...
對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)管，如圖6-6 (a)所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散...對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)管，如圖6-6 (a)所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散熱片接D極）：采用絕緣底板模塊封裝的特種場(chǎng)效應(yīng)管通常有四個(gè)管腳
晶體三極管通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個(gè)PN結(jié)的mos管半導(dǎo)體器件。...晶體三極管通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個(gè)PN結(jié)的mos管半導(dǎo)體器件。它是電子電路中的核心器件之一，在各種電子電路中的應(yīng)用十分廣泛。
場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是放大、恒流、阻抗變換、可變電阻和電子開關(guān)等。場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是放大、恒流、阻抗變換、可變電阻和電子開關(guān)等。
半導(dǎo)體：(室溫)； 鍺：0.67eV 砷化鎵：1.43eV 氧化鋅:3.3 eV半導(dǎo)體：(室溫)； 鍺：0.67eV 砷化鎵：1.43eV 氧化鋅:3.3 eV
碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間，影響較小，工作范圍-55。至175。C，大大降低...碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間，影響較小，工作范圍-55。至175。C，大大降低散熱的要求。它的主要優(yōu)勢(shì)在于它具有超快開關(guān)速度無反向恢復(fù)電流，跟硅器件對(duì)比，它...
