模仿集成電路設(shè)計 ? 集成電路設(shè)計可分為兩大類：模仿和數(shù)字。為了顯現(xiàn)這...模仿集成電路設(shè)計 ? 集成電路設(shè)計可分為兩大類：模仿和數(shù)字。為了顯現(xiàn)這兩類設(shè)計辦法的特征，我們必需首先定義模仿信號和數(shù)字信號。信號能夠被以為是電壓、...
半導(dǎo)體 ? ?金屬（例如鋁、銅和銀）都是很好的電導(dǎo)體，原子周期性規(guī)則排...半導(dǎo)體 ? ?金屬（例如鋁、銅和銀）都是很好的電導(dǎo)體，原子周期性規(guī)則排列。原子外層電子（價電子）可以在材料中自由移動。由于原子的數(shù)量非常大，因此自由...
大功率場效應(yīng)管： KIA2806A ?160A ?60V? ? ? ? ? 1-499個 ? ...大功率場效應(yīng)管： KIA2806A ?160A ?60V? ? ? ? ? 1-499個 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?500-999個 ? ? ? ? ? ? ? &
無源器件 1．電阻 ? ?沒有硅化物阻擋層掩模的工藝中，按方塊電阻...無源器件 1．電阻 ? ?沒有硅化物阻擋層掩模的工藝中，按方塊電阻值R□增大的順序可分為：金屬、硅化的多品硅、源/漏P、或N+材料、N阱等。 ?...
在金屬柵與硅柵技術(shù)的NMOS和CMOS工藝中，可以制作此類電阻，它是與MOS管的源/漏...在金屬柵與硅柵技術(shù)的NMOS和CMOS工藝中，可以制作此類電阻，它是與MOS管的源/漏區(qū)同時制成的，其剖面結(jié)構(gòu)如圖1.21所示。 該類電阻的方塊電阻值為R□=20～10...
三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在...三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時，在一定的電流范圍內(nèi)（或者說在一定功率損耗范圍內(nèi)），端電壓簡直不變，...
