MOS管42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流最大值為3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@V...MOS管42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流最大值為3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度電池設(shè)計(jì)、超低導(dǎo)通電阻，低開關(guān)損耗：開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小...
KNF6165C最高承受電壓可達(dá)650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏...KNF6165C最高承受電壓可達(dá)650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏極電流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220F；腳位排列位...
40A 250V場效應(yīng)管參數(shù),9125A-參數(shù) 漏源電壓：250V 漏極電流：40A 功耗:125W...40A 250V場效應(yīng)管參數(shù),9125A-參數(shù) 漏源電壓：250V 漏極電流：40A 功耗:125W
型號(hào)：TIP35C 類型：NPN三極管 集電極耗散功率（PC）：125 W 集電極電流（I...型號(hào)：TIP35C 類型：NPN三極管 集電極耗散功率（PC）：125 W 集電極電流（IC）：25 A
高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）...高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關(guān)損耗，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于...
KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@V...KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@Vgs=10V，開啟延遲典型值為16nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為44nS，上升時(shí)間18.3nS，下降時(shí)...
