mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都...
MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必...MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必會(huì)影響其它指標(biāo)。以MOS管來說，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說導(dǎo)通電...
對(duì)于一個(gè)電子產(chǎn)品，總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積，這就是低功耗...對(duì)于一個(gè)電子產(chǎn)品，總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積，這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。為了降低產(chǎn)品的功耗，在電子產(chǎn)品開發(fā)時(shí)盡量采用低開啟電壓...
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)...MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。本文描述了六款...
二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流...二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用...
在介紹PMOS管工作原理及詳解時(shí)，我們先來了解一下PMOS管的基本知識(shí)及符號(hào)，PMO...在介紹PMOS管工作原理及詳解時(shí)，我們先來了解一下PMOS管的基本知識(shí)及符號(hào)，PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低...
