MOSFET的擊穿有哪幾種：Source、Drain、Gate，場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)...MOSFET的擊穿有哪幾種：Source、Drain、Gate，場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G，(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿)先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是...
mos管的應(yīng)用領(lǐng)域 mos管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端...mos管的應(yīng)用領(lǐng)域 mos管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)...
場(chǎng)效應(yīng)管irfps37n50a生產(chǎn)廠家-MOS管irfps37n50a產(chǎn)品特征：1、低門(mén)電荷Qg的簡(jiǎn)單...場(chǎng)效應(yīng)管irfps37n50a生產(chǎn)廠家-MOS管irfps37n50a產(chǎn)品特征：1、低門(mén)電荷Qg的簡(jiǎn)單結(jié)果 2、驅(qū)動(dòng)要求 3、改進(jìn)門(mén)，雪崩和動(dòng)態(tài) 4、Dv/dt堅(jiān)固性 5、全特性電容和雪崩電...
MOS管2804產(chǎn)品特征-KIA2804N：1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電池設(shè)計(jì)...MOS管2804產(chǎn)品特征-KIA2804N：1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電池設(shè)計(jì) 3、超低導(dǎo)通電阻 4、快恢復(fù)體二極管 5、無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
MOS管08065A產(chǎn)品特征-SSP08065A： 1、650伏肖特基整流器 2、縮短恢復(fù)時(shí)間 3、...MOS管08065A產(chǎn)品特征-SSP08065A： 1、650伏肖特基整流器 2、縮短恢復(fù)時(shí)間 3、可能的高速切換 4、高頻操作 5、與溫度無(wú)關(guān)的開(kāi)關(guān)行為 6、超快開(kāi)關(guān) 7、變頻上的...
N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理：1．vGS對(duì)iD及溝道的控制作用 2．vDS對(duì)iD的影響 ...N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理：1．vGS對(duì)iD及溝道的控制作用 2．vDS對(duì)iD的影響 N溝道加強(qiáng)型MOSFET的溝道構(gòu)成及符號(hào)如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)...
