電容器，通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思...電容器，通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子...
mos251封裝尺寸-MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MO...mos251封裝尺寸-MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和...
低壓MOS管3208產(chǎn)品特征-KNX3208A：1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON)，typ.=6.5mΩ...低壓MOS管3208產(chǎn)品特征-KNX3208A：1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V 3、低門電荷減小開關(guān)損耗 4、快恢復(fù)體二極管 5、高效率DC/DC變換器 6...
低壓MOS管3206產(chǎn)品特征-KNX3206A：1、RDS（ON）=6.5mΩ（類型）@VGS=10V2、低R...低壓MOS管3206產(chǎn)品特征-KNX3206A：1、RDS（ON）=6.5mΩ（類型）@VGS=10V2、低RDS（ON）以減小導(dǎo)電損耗3、低門電荷在快速開關(guān)中的應(yīng)用4、優(yōu)化的BVDSS性能
低壓MOS管3204產(chǎn)品特征-KNX3204A：1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V2、專有新溝槽...低壓MOS管3204產(chǎn)品特征-KNX3204A：1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V2、專有新溝槽技術(shù)3、低門電荷減小開關(guān)損耗4、快恢復(fù)體二極管
MOS管100N03A產(chǎn)品特征-KIA100N03A 1、此功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)平面條紋DM...MOS管100N03A產(chǎn)品特征-KIA100N03A 1、此功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)專門針對最小化通態(tài)電阻，提供了優(yōu)越的開關(guān)性能好，...
