近來， 半橋諧振拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是...近來， 半橋諧振拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，...
晶體管和mos管區(qū)別 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconducto...晶體管和mos管區(qū)別 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是...
FDP51N25產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極...FDP51N25產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極電荷（典型的55nC） 3、低Crss（典型的63PF） 4、快速切換 5、100%雪崩試驗(yàn) 6、...
mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳解：現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路，有幾個(gè)特別的需求： 1，低壓應(yīng)...mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳解：現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路，有幾個(gè)特別的需求： 1，低壓應(yīng)用，當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓...
對(duì)MOS失效的原因分析，對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們...對(duì)MOS失效的原因分析，對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致...
MOS管的二級(jí)效應(yīng)主要有三種：背柵效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)、亞閾值效應(yīng)。在很多...MOS管的二級(jí)效應(yīng)主要有三種：背柵效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)、亞閾值效應(yīng)。在很多情況下，源極和襯底的電位并不相同。對(duì)NMOS管而言，襯底通常接電路的最低電位，有VB...
