KIA6N70H場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測(cè)試100%、具備提高dv/dt能力...
KNX2804C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，具有...KNX2804C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻RDS（接通），能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電路控制；2804場(chǎng)效應(yīng)管RDS（ON）為3.0...
KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用了先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，R...KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用了先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V時(shí)）；封裝形式：TO-220、TO-263。
1n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達(dá)650V，RDS（開(kāi)）為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達(dá)650V，RDS（開(kāi)）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅(jiān)固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進(jìn)的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時(shí)的開(kāi)態(tài)電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時(shí)的開(kāi)態(tài)電阻僅為9.3?，確保穩(wěn)定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC，在控制電荷時(shí)更加高效、還具備高...
KNX5610A場(chǎng)效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100...KNX5610A場(chǎng)效應(yīng)管采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性；超低柵極電荷，減小開(kāi)...
