MOS管 KNX3302A 85A/20V產(chǎn)品介紹：KNX3302A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS...MOS管 KNX3302A 85A/20V產(chǎn)品介紹：KNX3302A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS(ON) 、低柵極電荷和柵極電壓低至4.5V的操作。
為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流及飽和區(qū)電流公式詳解，隨著漏源電壓不斷...為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流及飽和區(qū)電流公式詳解，隨著漏源電壓不斷增大，當(dāng)達(dá)到夾斷電壓時，溝道厚度在漏極處減薄為零，溝道在漏極處消失，該處只剩下...
MOS管 KNX4890A 9A/900V參數(shù)詳情 免費(fèi)送樣 原廠直銷，MOS管 KNX4890A 9A/900V產(chǎn)...MOS管 KNX4890A 9A/900V參數(shù)詳情 免費(fèi)送樣 原廠直銷，MOS管 KNX4890A 9A/900V產(chǎn)品特征： 1、專用的新平面工藝技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=1.2Ω@VGS=10V 3、低柵極電...
怎樣理解場效應(yīng)管參數(shù) 解讀MOS管參數(shù)，場效應(yīng)管參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參...怎樣理解場效應(yīng)管參數(shù) 解讀MOS管參數(shù)，場效應(yīng)管參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時只需關(guān)注以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓UP（...
MOS管 KCX3008A 120A/85V規(guī)格書下載 SGT工藝 免費(fèi)送樣，MOS管 KCX3008A 120A/8...MOS管 KCX3008A 120A/85V規(guī)格書下載 SGT工藝 免費(fèi)送樣，MOS管 KCX3008A 120A/85V產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、采用先進(jìn)的SGT工藝技術(shù) 2、Extremely low RDS(on).typ=4.5mΩ@Vg...
一種智能的碳化硅MOSFET驅(qū)動核及驅(qū)動要求與特性詳解-KIA MOS管，在SiC MOSFET的...一種智能的碳化硅MOSFET驅(qū)動核及驅(qū)動要求與特性詳解-KIA MOS管，在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大...
