場效應管引見篇 場效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱...場效應管引見篇 場效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱場效應管。由少數(shù)載流子參加導熱,也稱為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體...
來自韓國科學技術學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,...來自韓國科學技術學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的團隊研發(fā)了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KCX3650A場效應管漏源電壓500V,漏極電流60A,導通電阻RDS(ON)50mΩ,采用先...KCX3650A場效應管漏源電壓500V,漏極電流60A,導通電阻RDS(ON)50mΩ,采用先進的端接方案來提供增強的電壓阻斷能力,而不會隨著時間的推移降低性能;堅固的高壓...
KIA65R300FS場效應管漏源電壓650V,漏極電流15A,導通電阻RDS(ON)0.27Ω,低...KIA65R300FS場效應管漏源電壓650V,漏極電流15A,導通電阻RDS(ON)0.27Ω,低柵極電荷(典型值43nC),高堅固性、快速切換確保電路高效穩(wěn)定,100%雪崩測試、改進...
KIA65R190FS場效應管漏源電壓650V,漏極電流20A,導通電阻RDS(ON)0.16Ω,低...KIA65R190FS場效應管漏源電壓650V,漏極電流20A,導通電阻RDS(ON)0.16Ω,低柵極電荷(典型值70nC),具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt功能增...
KIA12N65H場效應管漏源電壓650V,漏極電流12A,導通電阻RDS(ON)0.63Ω,高效...KIA12N65H場效應管漏源電壓650V,漏極電流12A,導通電阻RDS(ON)0.63Ω,高效低耗;低柵極電荷(典型值52nC),最小化開關損耗,快速切換能力在電路中能夠迅速響...