場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器:微弱的信號(hào)經(jīng)過(guò)小信號(hào)放大器(或稱(chēng)前置放大器)逐級(jí)放大后，...場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器:微弱的信號(hào)經(jīng)過(guò)小信號(hào)放大器(或稱(chēng)前置放大器)逐級(jí)放大后，去控制某些執(zhí)行機(jī)構(gòu)，如喇叭、繼電器等。而這些執(zhí)行機(jī)構(gòu)都需要一定的功率去推動(dòng)，所...
CMOS工藝詳細(xì)解析:CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個(gè)襯底上同時(shí)...CMOS工藝詳細(xì)解析:CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個(gè)襯底上同時(shí)制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中看到，襯底的摻雜類(lèi)型和摻雜水平是按照在它上...
MOS管炸裂原因:我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件...MOS管炸裂原因:我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。MOS管炸裂原因：開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓...
場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路：MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高，它的實(shí)用頻率已擴(kuò)展到...場(chǎng)效應(yīng)管高頻電路：MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻特性正在逐年提高，它的實(shí)用頻率已擴(kuò)展到甚高頻乃至超高頻段。一般說(shuō)來(lái)，場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管相比，在高頻方面具有非線(xiàn)性...
MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)(1)MOS集成電路檢測(cè)的一般注意事項(xiàng)以往在購(gòu)進(jìn)晶體管...MOS集成電路的檢測(cè)注意事項(xiàng)(1)MOS集成電路檢測(cè)的一般注意事項(xiàng)以往在購(gòu)進(jìn)晶體管，二極管等元件時(shí)，要判斷這些元件是否能用于相應(yīng)的電路。同樣,集成電路出現(xiàn)后，則應(yīng)...
MOS集成電路的功能(1)放大,MOS晶體管作為有源元件，本來(lái)就是用作放大元件的。在...MOS集成電路的功能(1)放大,MOS晶體管作為有源元件，本來(lái)就是用作放大元件的。在圖3.15所示的互補(bǔ)型電路中，P溝道和N溝道晶體管互為有源元件和負(fù)截元件而工作，適用...
