MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重如何解決？一文解析-KIA MOS管,小電流MOS管發(fā)熱分析-MOS管...MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重如何解決？一文解析-KIA MOS管,小電流MOS管發(fā)熱分析-MOS管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多...
MOS集成電路中的寄生效應(yīng):在MOS集成電路中，除了電路設(shè)計(jì)中需要的MOS管外，還存...MOS集成電路中的寄生效應(yīng):在MOS集成電路中，除了電路設(shè)計(jì)中需要的MOS管外，還存在著一些不需要的寄生MOS晶體管和電容，它們將給集成電路的正常工作帶來(lái)不利的影響...
感溫VMOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特性(1)這是一套N型智能VMOS功率器件,在器件的柵源極間制...感溫VMOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特性(1)這是一套N型智能VMOS功率器件,在器件的柵源極間制作了一個(gè)溫度傳感器。當(dāng)漏極散熱器的溫度達(dá)到155~160℃時(shí)，通過(guò)溫度傳感器器件可自行...
場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)算放大器-場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)放：集成電路一般是在一塊厚0.2~0.5mm、...場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)算放大器-場(chǎng)效應(yīng)管集成運(yùn)放：集成電路一般是在一塊厚0.2~0.5mm、面積約為0.5mm2的硅片，上通過(guò)平面工藝制做成的。這種硅片( 稱為集成電路的基片)上...
MOSFET中的噪聲-噪聲源:MOS器件的本底噪聲是器件中電壓和電流的自發(fā)漲落，與電...MOSFET中的噪聲-噪聲源:MOS器件的本底噪聲是器件中電壓和電流的自發(fā)漲落，與電子電荷的離散性緊密相關(guān)。噪聲的影響受器件及其所在電路放大能力的限制。外界噪聲可...
安裝和更換MOS管注意事項(xiàng):一、安裝和更換MOS管前的準(zhǔn)備1.由于MOS管柵極絕緣層很...安裝和更換MOS管注意事項(xiàng):一、安裝和更換MOS管前的準(zhǔn)備1.由于MOS管柵極絕緣層很薄，柵漏電容較小。有U=Q/C，所以靜電和感應(yīng)電壓成正比。人體靜電電壓就極易對(duì)管子...
