MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測驗(yàn)是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損...MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測驗(yàn)是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳...
MOS管速度飽和:一般而言,載流子速度正比于電場,斜率是載流子的遷移率;可當(dāng)延...MOS管速度飽和:一般而言,載流子速度正比于電場,斜率是載流子的遷移率;可當(dāng)延溝道電場達(dá)到臨界值(某個根據(jù)散射效應(yīng)計(jì)算的值)時,載流子的速度將會趨于飽和,稱...
MOS管-熱插拔:當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時,電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)...MOS管-熱插拔:當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時,電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓,對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護(hù)應(yīng)用類似,此...
功率MOS管Coss會產(chǎn)生開關(guān)損耗,在正常的硬開關(guān)過程中,關(guān)斷時VDS的電壓上升,電...功率MOS管Coss會產(chǎn)生開關(guān)損耗,在正常的硬開關(guān)過程中,關(guān)斷時VDS的電壓上升,電流ID對Coss充電,儲存能量。在MOS管開通的過程中,由于VDS具有一定的電壓,那么Cos...
反向電流損害:外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂...反向電流損害:外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個反向電流又稱為...
MOS管柵極懸空:MOS管經(jīng)常用于電路的開關(guān)控制,通過改變柵極(gate)的電壓來使漏...MOS管柵極懸空:MOS管經(jīng)常用于電路的開關(guān)控制,通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導(dǎo)通或截斷。下面就是一個常見的開關(guān)電路。Vg輸入高時,N管...