普通6V低電壓橋式整流電源，在整流二極管內(nèi)阻上的電壓降往往占去了輸入電壓的2...普通6V低電壓橋式整流電源，在整流二極管內(nèi)阻上的電壓降往往占去了輸入電壓的25％，即有1.5V的電壓降損耗。采用肖特基快速二極管雖然可以減少50％的損耗，但仍然不...
場效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點，而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點。場效...場效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點，而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點。場效應(yīng)管具有雙向?qū)ΨQ性，即場效應(yīng)管的源極和漏極是可以互換的（無阻尼），一般的晶體管...
開關(guān)比的定義：開關(guān)比是反應(yīng)器件對電流的調(diào)控能力的，定義為器件開狀態(tài)電流與關(guān)...開關(guān)比的定義：開關(guān)比是反應(yīng)器件對電流的調(diào)控能力的，定義為器件開狀態(tài)電流與關(guān)狀態(tài)電流的比值。場效應(yīng)晶體管中，在源、漏電壓不變的情況下，加門壓和不加門壓時測...
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類...場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorF...
MOS管電流源驅(qū)動原理分析：在傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動方式下，開關(guān)管VT門極電容充電的過...MOS管電流源驅(qū)動原理分析：在傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動方式下，開關(guān)管VT門極電容充電的過程中，充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示，to時刻門極平均電流Ig達到峰值Ugat...
信號發(fā)生電路比較簡單，主要是產(chǎn)生兩路帶死區(qū)互補的方波信號，一定要互補帶死區(qū)...信號發(fā)生電路比較簡單，主要是產(chǎn)生兩路帶死區(qū)互補的方波信號，一定要互補帶死區(qū)的方波信號，否則會造成MOS/IGBT誤導通，造成MOS/IGBT管損壞。常見的信號發(fā)生電路有...
