肖特基勢(shì)壘與歐姆接觸-模型理解：我們知道，N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體接觸會(huì)因?yàn)檩d...肖特基勢(shì)壘與歐姆接觸-模型理解：我們知道，N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體接觸會(huì)因?yàn)檩d流子的擴(kuò)散形成耗盡區(qū)，從而形成PN節(jié)。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)會(huì)怎樣呢？其中一種情況...
5N50MOS管 500V5A參數(shù)-產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS 低導(dǎo)...5N50MOS管 500V5A參數(shù)-產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS 低導(dǎo)通電阻 低柵電荷 5N50MOS管 500V5A參數(shù)-產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域 1、適配器 2、充電器 3、...
SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局...SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，...
MOS管雪崩電流解析：雪崩電流在MOS管的數(shù)據(jù)表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MO...MOS管雪崩電流解析：雪崩電流在MOS管的數(shù)據(jù)表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗過壓沖擊的能力。在調(diào)試過程中，選取一定的電感值，然后將電流增大，也就是功率...
trr是指快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，二極管在正向?qū)ǖ椒聪蜃钄噙^程中，會(huì)反...trr是指快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，二極管在正向?qū)ǖ椒聪蜃钄噙^程中，會(huì)反向流過電流，內(nèi)部載流子復(fù)合需要的時(shí)間就是trr。它的定義是：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換...
MOS管500V9A，KIA4750規(guī)格參數(shù)-1、KIA4750產(chǎn)品特征，符合RoHS，RDS(on) = 0.7Ω...MOS管500V9A，KIA4750規(guī)格參數(shù)-1、KIA4750產(chǎn)品特征，符合RoHS，RDS(on) = 0.7Ω@VGS = 10 V，低柵電荷最小化開關(guān)損耗，快速恢復(fù)體二極管。 2、KIA4750適用范圍，...
