NMOS管的工作原理，是通過(guò)控制導(dǎo)電溝道，以此來(lái)控制源漏電流。在柵極加上正電壓...NMOS管的工作原理，是通過(guò)控制導(dǎo)電溝道，以此來(lái)控制源漏電流。在柵極加上正電壓Vgs，襯底的電子會(huì)被帶正電的柵極吸引，電子充斥在源端和漏端之間，形成了導(dǎo)電溝道...
MOSFET-FT定義 在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率...MOSFET-FT定義 在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為：“transit frequency”(fT)
亞閾值電流是在MOS管理想的電流－電壓特性中，當(dāng)Vgs小于 Vt 時(shí)，漏極電流 Id 為...亞閾值電流是在MOS管理想的電流－電壓特性中，當(dāng)Vgs小于 Vt 時(shí)，漏極電流 Id 為0。 亞閾值電流，或稱亞閾值漏電流（英語(yǔ)：subthreshold leakage），是金屬氧化物...
電容在電路設(shè)計(jì)中是一個(gè)基本又必不可少的部分，除了作為旁路，濾波，去耦或隔直...電容在電路設(shè)計(jì)中是一個(gè)基本又必不可少的部分，除了作為旁路，濾波，去耦或隔直等作用，在一些電路中也可以作為運(yùn)算電路單元，完成信號(hào)的存儲(chǔ)和傳遞。在集成電路設(shè)...
1.使得MOS管的開(kāi)啟延遲和關(guān)斷延遲增加 由于存在源邊電感，在開(kāi)啟和關(guān)段初期，...1.使得MOS管的開(kāi)啟延遲和關(guān)斷延遲增加 由于存在源邊電感，在開(kāi)啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時(shí)間變長(zhǎng)了。同時(shí)源邊感抗和等效輸入電容之間會(huì)...
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際...寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很...
