MOS管熱阻參數(shù)解讀（熱阻、輸入輸出電容及開(kāi)關(guān)時(shí)間）定義：熱阻指的是當(dāng)有熱量...MOS管熱阻參數(shù)解讀（熱阻、輸入輸出電容及開(kāi)關(guān)時(shí)間）定義：熱阻指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W。半...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效...金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加...
關(guān)于MOSFET的體效應(yīng)（body-effect,襯底調(diào)制效應(yīng)／襯偏效應(yīng)），主要是來(lái)源于mos...關(guān)于MOSFET的體效應(yīng)（body-effect,襯底調(diào)制效應(yīng)／襯偏效應(yīng)），主要是來(lái)源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之間的偏壓對(duì)MOSFET閾值電壓vth的影響：以NMOS為例，當(dāng)晶體管...
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較...功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意...
Mosfet?過(guò)流保護(hù)常用于電源電路中，用于限制電源的輸出電流?！斑^(guò)流”這個(gè)詞是...Mosfet?過(guò)流保護(hù)常用于電源電路中，用于限制電源的輸出電流?！斑^(guò)流”這個(gè)詞是指負(fù)載上的電流超過(guò)了電源的供給限度。這是很危險(xiǎn)的情況，而且很可能對(duì)電源造成損害...
場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路-穩(wěn)壓電源，電路圖詳解-KIA MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路圖（一） ...場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路-穩(wěn)壓電源，電路圖詳解-KIA MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路圖（一） 場(chǎng)效應(yīng)管穩(wěn)壓電路，?圖所示的是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管組成的簡(jiǎn)易穩(wěn)壓電源電路。穩(wěn)壓二極...
