MOSFET的短溝道效應:當MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相...MOSFET的短溝道效應:當MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時,會出現(xiàn)一些不同于長溝道MOS管特性的現(xiàn)象,統(tǒng)稱為短溝道效應，它們歸因于在溝...
CMOS電路中的阱:在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應用在襯底上形成反型的阱是一大特點。...CMOS電路中的阱:在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應用在襯底上形成反型的阱是一大特點。已有的多種CMOS電路阱的類別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉(zhuǎn)阱等(圖4-3-3)。CMOS電路中的阱...
MOS晶體管的最高頻率:MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻...MOS晶體管的最高頻率:MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻率的增高而變壞。MOS管的最高頻率,大家知道,MOS晶體管的溝道區(qū)隔著絕緣的氧化層,在...
結(jié)型場效應管基本放大器工作原理:我們知道,根據(jù)導電溝道的不同,結(jié)型場效應管有...結(jié)型場效應管基本放大器工作原理:我們知道,根據(jù)導電溝道的不同,結(jié)型場效應管有N溝道和P溝道之分。因此，結(jié)型場效應管基本放大器也分為N溝道結(jié)型場效應管基本放大器...
硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細解析-硅柵MOS結(jié)構(gòu)：在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵...硅柵MOS結(jié)構(gòu)詳細解析-硅柵MOS結(jié)構(gòu)：在MOS-IC的早期產(chǎn)品中,廣泛使用金屬AI作為柵極。例如上世紀60年代中期第一只MOS-IC即為p溝增強型A1柵器件。但隨著MOS-IC規(guī)模的...
MOS管電容特性-動態(tài)特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小...MOS管電容特性-動態(tài)特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結(jié)構(gòu),材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無關(guān)，所以功率管的開關(guān)速度對...
