功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金...功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的...
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管...根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的...
PN結(jié)單向?qū)щ娫斫馕黾癙N結(jié)為什么可以單向?qū)щ姡琍N結(jié)采用不同的摻雜工藝，通過...PN結(jié)單向?qū)щ娫斫馕黾癙N結(jié)為什么可以單向?qū)щ?，PN結(jié)采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它...
怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管，在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可...怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管，在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路...
MOS管漲知識(shí)| MOS管的實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)解析：MOS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓...MOS管漲知識(shí)| MOS管的實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)解析：MOS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。N型MOS管應(yīng)用的場景更多，相...
MOS管D80N06替代產(chǎn)品-KND3306B參數(shù) 封裝 規(guī)格書詳情，MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3...MOS管D80N06替代產(chǎn)品-KND3306B參數(shù) 封裝 規(guī)格書詳情，MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B特點(diǎn)： RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供無鉛綠色設(shè)備 低Rds開啟以最小化導(dǎo)電損...
