廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

應用領(lǐng)域

mos管pwm,3303場效應管,KNG3303C參數(shù)資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-06-10 

分享到:

mos管pwm,3303場效應管,KNG3303C參數(shù)資料-KIA MOS管


3303場效應管,KNG3303C參數(shù)引腳圖

KNG3303C場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ,減少導通損耗、提高效率;低Crss、開關(guān)速度快,高效穩(wěn)定;100%經(jīng)雪崩測試、改進的dv/dt能力,確保穩(wěn)定性和可靠性;適用于PWM應用、負載開關(guān)、電源管理等多種應用場景;封裝形式:DFN3*3,體積小、散熱良好。

3303場效應管,KNG3303C

3303場效應管,KNG3303C參數(shù)

漏源電壓:30V

漏極電流:90A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:400A

雪崩能量單脈沖:289MJ

總功耗:66W

閾值電壓:1-2.2V

總柵極電荷:60nC

輸入電容:3280PF

輸出電容:360PF

反向傳輸電容:320PF

開通延遲時間:10nS

關(guān)斷延遲時間:54nS

上升時間:100ns

下降時間:98ns

3303場效應管,KNG3303C規(guī)格書

3303場效應管,KNG3303C

3303場效應管,KNG3303C


聯(lián)系方式:鄒先生

座機:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902


搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號

關(guān)注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)支持

免責聲明:網(wǎng)站部分圖文來源其它出處,如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。