鋰電池保護板mos管,042N10參數(shù)場效應管代換,KCB3010A資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-06-20
KCB3010A是采用先進SGT技術的N溝道增強型功率MOSFET,先進的雙溝道技術降低導通損耗、提高開關性能和增強雪崩能量,漏源擊穿電壓100V,漏極電流120A,低導通電阻(典型值)RDS(導通)=4.0mΩ;具有快速切換、低柵極電荷、低反向傳輸電容、雪崩強度高等出色性能。
KCB3010A適用于鋰電池保護板、電機驅動器和高速開關應用的設備,封裝形式:TO-263體積小,散熱良好,提高設備的可靠性和穩(wěn)定性,能夠匹配HYG042N10S1B、CRSS042N10N場效應管代換使用。
漏源電壓:100V
漏極電流:120A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):4mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:480A
雪崩能量單脈沖:756.25MJ
總功耗:175W
總柵極電荷:89.5nC
輸入電容:6700PF
輸出電容:880PF
開通延遲時間:32nS
關斷延遲時間:68.5nS
上升時間:55ns
下降時間:31ns
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