7n60參數(shù)及代換,7n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),7n60參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

7n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KIA7N60H功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。

KIA7N60H場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流7A，能夠在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色；RDS（打開(kāi)）=1.0Ω @ VGS=10V，具有較低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功耗和提高效率；7n60場(chǎng)效應(yīng)管具有超低的柵極電荷，典型值為27nC，以及低反向轉(zhuǎn)移電容，保證在快速切換過(guò)程中能夠穩(wěn)定工作；為了滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景下的需求，7N60還經(jīng)過(guò)了雪崩能量測(cè)試和改進(jìn)的dv/dt能力驗(yàn)證，確保其在高壓、高頻率條件下能夠可靠工作，并且還具有高耐用性，能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行而不損壞，為系統(tǒng)的可靠性提供了保障。

KIA7N60H場(chǎng)效應(yīng)管的卓越性能，在開(kāi)關(guān)電源和LED驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域受到廣泛應(yīng)用；其穩(wěn)定可靠的特性，以及優(yōu)秀的電氣參數(shù)，是各類(lèi)電路設(shè)計(jì)的理想選擇，能夠替代仙童、UTC等品牌7N60型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行使用；KIA7N60H封裝形式： TO-263、262、220、220F多種封裝選擇，方便安裝使用。

7n60參數(shù)代換,7n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓：600V

漏極電流：7.0A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.0Ω

柵源電壓：±30V

脈沖漏電流：28A

雪崩能量單脈沖：215MJ

最大功耗：140/45W

輸入電容：900PF

輸出電容：100PF

反向傳輸電容：11.5PF

開(kāi)通延遲時(shí)間：20nS

關(guān)斷延遲時(shí)間：75nS

上升時(shí)間：45ns

下降時(shí)間：70ns

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