調(diào)光器模塊mos管,KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管,500V 25A參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-02-01
KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管采用高級(jí)平面工藝制造，具備漏源電壓500V和漏極電流25A的特性，RDS（ON）（典型值）為170mΩ@VGS=10V，封裝形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在電氣設(shè)備、調(diào)光器模塊、充電模塊領(lǐng)域的專用MOS管。
KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管采用了加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，具備低柵極電荷最小化和開(kāi)關(guān)損耗低的特點(diǎn)，使其能夠在高效開(kāi)關(guān)電源、無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及電焊機(jī)等應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。通過(guò)使用KNX7650A場(chǎng)效應(yīng)管，可以使這些設(shè)備的性能得到提升，同時(shí)還能提高系統(tǒng)的效率。
漏源電壓：500V
漏極電流：25A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：100A
雪崩能量單脈沖：1800MJ
最大功耗：105/290W
輸入電容：4280pF
輸出電容：1400pF
反向轉(zhuǎn)移電容：185pF
開(kāi)通延遲時(shí)間：24nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：100nS
上升時(shí)間：40ns
下降時(shí)間：35ns
KIA半導(dǎo)體主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
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